氧化鋅(ZnO) 是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料．同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應
ZnO晶體價格
氧化鋅(ZnO) 是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料．同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。
氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構，閃鋅礦結構（與金剛石類似，可看成氧原子FCC排列，4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置）；NaCl結構；CsCl結構（氧原子簡單立方排列，鋅原子占據體心位置）；纖鋅礦結構（六方結構，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列）。ZnO晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。ZnO晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分，兩種成分的含量差不多，因而使得ZnO晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強，導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。
一種生長氧化鋅晶體的方法,在真空下,通入保護氣,以氧化鋅的粉為粉源,將氧化鋅的粉加熱使其升華為氣體,所述升華的氣體在溫度梯度作用下被輸運到氧化鋅籽晶表面且結晶生長.采用升華法生長氧化鋅晶體裝置,加熱速度快,生長室容易達到高真空,可通過改變工藝條件實現對氧化鋅晶體尺寸,生長速度的控制,可獲得高質量大尺寸氧化鋅晶體;克服了現有技術生長速率低的不足,且工藝設備要求簡單,成本較低.
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