氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩定性好、成本低的特點。
氧化鋯(YSZ)晶體產品規格：常規晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm,
氧化鋯(YSZ)晶體襯底
氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩定性好、成本低的特點。
氧化鋯(YSZ)晶體產品規格：常規晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
由于氧化鋯材料具有高硬度，高強度，高韌性，極高的性及耐化學腐蝕性等等優良的物化性能，氧化鋯已經在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學、航空航天、生物、化學等等各種領域獲得廣泛的應用。
氧化鋯(YSZ)晶體技術參數。 晶體結構：立方；晶格常數:a = 5.125 ；密度:5.8 g / cm3；純度: 99.99%；熔點: 2800°c；熱膨脹系數:10.3 x10-6/ °c；介電常數:27；晶體生長方法：弧熔法。
常溫下保持立方相的氧化鋯晶體，具有硬度高(莫氏硬度8~8.5)，折射率高(于6830處，n≈2.149)，色散性強(~0.056)和化學穩定性好等特性。氧化鋯(YSZ)晶體產品規格：常規晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
（作者： 來源：）
