氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方
氧化鋅晶體單晶襯底
氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。
基于氧化鋅（ZnO）的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅（ZnO）材料的新的研究熱潮.氧化鋅（ZnO）以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料,因此對氧化鋅（ZnO）單晶的研究有重要的理論和實踐意義。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。
目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。555常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結構,點群為6mm,空間群為P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結于正電荷Z離子,(0001)面終結于負電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。
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