華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。在調試期間發(fā)現(xiàn)元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試
風力發(fā)電用IGBT測試儀加工
華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。在調試期間發(fā)現(xiàn)元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。
深圳市華科智源科技有限公司，是一家從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務的高新技術企業(yè)，坐落于改革開放之都-深圳，核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產，公司產品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。01mA
柵極電壓VGE： 0V
6）柵極-發(fā)射極閾值電壓
VGEth： 1-10V±2%±0。
3、技術指標
* 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組
* 3.2 機臺可測IGBT項目
及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓
VCES集射極截止電壓
ICES集射極截止電流
VCE(sat)飽和導通壓降
Iges柵極漏電流
VF二極管導通電壓
可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊
* 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
測試項目 測量范圍 測試條件與精度
*
3.5 VGE(th)
柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
解析度：0.01V
集電極電流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；1~1ms可設定
4）柵極漏電流測試電路柵極漏電流測試電路
。
50～200mA±1%±1mA；
200～1000mA±1%±2mA；
5、感性負載
5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部電感成陣列的內部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。
6、標準的雙控制極驅動
6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge+ ： +15V；
6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；
6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；
6.5 電壓開關時間： < 50ns；
6.6 輸出內阻： < 0.5Ω；
開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出被測雙脈沖觸發(fā)信號，開通和關斷被測器件兩次，被測器件次開通后，集電極電流IC上升，直至被測器件飽和導通且IC達到測試規(guī)定值時，關斷被測器件(設為t1時刻)，之后電感L經二極管（Q1內部二極管）續(xù)流，IC迅速減小，直至IC降為零時，第二次開通被測器件(設為t2時刻)，此后電感L中的電流向IC轉移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測器件再次達到飽和導通時(設為t3時刻)，關斷被測器件。1V -30V～30VQg柵極電荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。記錄下被測器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結果。
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