（2）主要技術參數
1）基本參數
功率源： 5000V 1200A
2）柵極-發射極漏電流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集電極電壓VCE： 0V
柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集電極-發射極電壓
集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V
集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
柵極電壓Vg
檢修用IGBT測試儀批發
（2）主要技術參數
1）基本參數
功率源： 5000V 1200A
2）柵極-發射極漏電流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集電極電壓VCE： 0V
柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集電極-發射極電壓
集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V
集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
柵極電壓Vge： 0V
4）集電極-發射極飽和電壓VCESat
VCESat：0.2-5V
柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V
集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集電極-發射極截止電流ICES
集電極電壓VCE： 100-5000V±3%
集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
柵極電壓VGE： 0V
6）柵極-發射極閾值電壓
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集電極電流ICE： 30mA±3%
7）二極管壓降測試
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
3、技術指標
* 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組
* 3.2 機臺可測IGBT項目
及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓
VCES集射極截止電壓
ICES集射極截止電流
VCE(sat)飽和導通壓降
Iges柵極漏電流
VF二極管導通電壓
可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊
* 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
測試項目 測量范圍 測試條件與精度
*
3.5 VGE(th)
柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
解析度：0.01V
集電極電流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；測試參數多且完整、應用領域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現象。
200～1000mA±1%±2mA；
3.1開通時間Ton測試原理框圖
圖3-1開通時間測試原理框圖
其中：Vcc 試驗電壓源
±VGG 柵極電壓
C1 箝位電容
Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續流二極管）
L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換
IC 集電極電流取樣電流傳感器
DUT 被測器件
開通時間定義（見下圖）：柵極觸發信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on）+tr
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