華科智源IGBT電參數測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析。測量目的：對模塊的電壓降參數進行檢測,可判斷模塊是否處于正常狀態。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。
便攜式IGBT測試儀價格
華科智源IGBT電參數測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析。測量目的：對模塊的電壓降參數進行檢測,可判斷模塊是否處于正常狀態。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。
深圳市華科智源科技有限公司，是一家從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務的高新技術企業，坐落于改革開放之都-深圳，核心業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產，公司產品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數測試儀，MOS管動態參數測試儀，IGBT動態參數測試系統，IGBT靜態參數測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發電檢修用IGBT測試儀。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換。
5、感性負載
5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部電感成陣列的內部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。
6、標準的雙控制極驅動
6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge+ ： +15V；
6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；
6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；
6.5 電壓開關時間： < 50ns；
6.6 輸出內阻： < 0.5Ω；
參數名稱 符號 參數名稱 符號
開通延遲時間 td(on) 關斷延遲時間 td(off)
上升時間 tr 下降時間 tf
開通時間 ton 關斷時間 toff
開通損耗 Eon 關斷損耗 Eoff
柵極電荷 Qg
短路電流 ISC / /
可測量的FRD動態參數
反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr
反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec
目的和用途
該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。01uA
集電極電壓VCE： 0V
柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0。
1.2 測試對象
IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊
2.測試參數及指標
2.1開關時間測試單元技術條件
開通時間測試參數：
1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns
2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns
3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns
4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS
6、開通峰值功率Pon：10W～250kW
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