測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。賣方所提供的元件，必須是經過
風力發電用IGBT測試儀廠家
測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。賣方所提供的元件，必須是經過檢驗合格的器件，否則，買方有權拒付貨款。
半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用；6 VCES
集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES：
0。 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。
測試大功率元件應用范例說明？
2011年，我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間，進行了實際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進入實質的參數量測，也有全新的IGBT，量測結果完全合乎出廠規格.對其測試數據極為滿意，解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩定、器件易燒壞、易等問題。用戶能對舊品元件作篩選，留下可用元件，確實掌握設備運轉的可靠度。華科智源IGBT測試儀針對IGBT的各種靜態參數而研制的智能測試系統。
3.6 VCES
集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集電極電壓VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射極截止電流 0.01～50mA
集電極電壓VCES：
50～500V±2%±1V；
500～5000V±1.5%±2V；
集電極電流ICES：
0.001～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～150mA±1%±0.1mA；
*
3.8 VCE(sat)
飽和導通壓降 0.001～10V
集電極電流ICE：
0-1600A 集電極電壓VCEs：
0.001～10V±0.5%±0.001V
柵極電壓Vge：
5～40V±1%±0.01V
集電極電流ICE：
0～100A±1%±1A；
100～1600A±2%±2A；
*
3.9 Iges
柵極漏電流 0.01～10μA
柵極漏電流IGEs：
0.01～10μA±2%±0.005μA
柵極電壓Vge：
±1Ｖ～40V±1%±0.1V；關斷時間測試參數：
1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns
2、關斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns
4、關斷能量：0。
Vce=0V；
* 3.10 VF
正向特性測試 0.1～5V 二極管導通電壓Vf：
0.1～5V±1%±0.01V
電流IF：
0～100A±2%±1A；
100～1600A±1.5%±2A；
產品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統、光電脈沖觸發板、IGBT的智能高壓驅動板等。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。
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