什么是大功率半導體元件？其用途為何？ 凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。關斷時間測試參數：
1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns
軌道交通用IGBT測試儀加工
什么是大功率半導體元件？其用途為何？
凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。關斷時間測試參數：
1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns
2、關斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns
4、關斷能量：0。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。
技術要求
3.1整體技術指標
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
GBT模塊動態參數測試。
*2）測試對象
被測器件IGBT模塊動態參數。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標
測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。
主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件
Vce
集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
9）尖峰抑制電容
用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。
電容容量 200μF
分布電感 小于10nH
脈沖電流 2kA
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
11）動態測試續流二極管
用于防止測試過程中的過電壓。
反向電壓 8000V(2只串聯)
-di/dt大于2000A/μs
測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）18）其他輔件。通態電流 1200A
壓降小于1V
浪涌電流大于20kA
反向恢復時間小于2μs
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
12）安全工作區測試續流二極管
反向電壓 12kV(3只串聯)
-di/dt 大于2000A/μS
通態電流 1200A
壓降 小于1V
浪涌電流 大于20kA
反向恢復時間 小于2μS
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
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