（2）主要技術參數
1）基本參數
功率源： 5000V 1200A
2）柵極-發射極漏電流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集電極電壓VCE： 0V
柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集電極-發射極電壓
集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V
集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
柵極電壓Vg
變頻器用IGBT測試儀現貨供應
（2）主要技術參數
1）基本參數
功率源： 5000V 1200A
2）柵極-發射極漏電流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集電極電壓VCE： 0V
柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集電極-發射極電壓
集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V
集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
柵極電壓Vge： 0V
4）集電極-發射極飽和電壓VCESat
VCESat：0.2-5V
柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V
集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集電極-發射極截止電流ICES
集電極電壓VCE： 100-5000V±3%
集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
柵極電壓VGE： 0V
6）柵極-發射極閾值電壓
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集電極電流ICE： 30mA±3%
7）二極管壓降測試
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
測量目的：對模塊的電壓降參數進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態。
功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發現功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數也會存在個體差異。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環節可靠運行。
IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。3）IGBT飽和壓降/FRD正向導通壓降測試電路通態壓降測試電路
。
如何執行導通參數與漏電流的量測？
測試條件中待輸入的數字，必須依照元件生產廠所提供的規格來輸入，而測量結果，亦必須在其所規定的限額內，否則，便為不良品。
大功率I g b t模塊測試系統簡介
我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統具備下列測試能力：
☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。
☆外接大電流擴展裝置，檢測范圍可擴展1600A。
2.4短路技術條件
1、Vcc： 200～1000V
200～1000V±3%±2V
2、一次短路電流：20000A
500～1000A±3%±2A
1000A～5000A±2%±5A
5000A～20000A±2%±10A
3、tp：5-30us
2.5雪崩技術條件
1、Vce：50～500V±3%±5V
500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9.9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脈沖寬度：40—1000uS可設定
5、測試頻率：單次
2.6 NTC測試技術條件
阻值測量范圍：0～20KΩ
（作者： 來源：）
