測試參數：
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。大功率Igbt模塊測試系
封裝用IGBT測試儀廠家
測試參數：
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。大功率Igbt模塊測試系統簡介我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統具備下列測試能力：☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。
測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。當這兩個參數通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數的測量，以分辨其中的優劣。
半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。
3、系統基本參數
3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加熱功能：室溫～150℃；
3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；
3.4 環境溫度：25℃±15℃；
3.5 環境濕度：50% ±20% （相對濕度）
4、動態測試基本配置
4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；
4.3 電流持續時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；
4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；
4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；
（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；
4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態測試）。
表格12動態參數測試部分組成
序號 組成部分 單位 數量
1 可調充電電源 套 1
2 直流電容器 個 8
3 動態測試負載電感 套 1
4 安全工作區測試負載電感 套 1
5 補充充電回路限流電感L 個 1
6 短路保護放電回路 套 1
7 正常放電回路 套 1
8 高壓大功率開關 個 5
9 尖峰抑制電容 個 1
10 主回路正向導通晶閘管 個 2
11 動態測試續流二極管 個 2
12 安全工作區測試續流二極管 個 3
13 被測器件旁路開關 個 1
14 工控機及操作系統 套 1
15 數據采集與處理單元 套 1
16 機柜及其面板 套 1
17 壓接夾具及其配套系統 套 1
18 加熱裝置 套 1
19 其他輔件 套 1
（作者： 來源：）
