什么是大功率半導體元件？其用途為何？ 凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。3）IGBT飽和壓降/FRD正向導通壓降測試電路通態壓降測試電路
。如下圖片所示。此類元
風力發電用IGBT測試儀價格
什么是大功率半導體元件？其用途為何？
凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。3）IGBT飽和壓降/FRD正向導通壓降測試電路通態壓降測試電路
。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。
3.1開通時間Ton測試原理框圖
圖3-1開通時間測試原理框圖
其中：Vcc 試驗電壓源
±VGG 柵極電壓
C1 箝位電容
Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續流二極管）
L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換
IC 集電極電流取樣電流傳感器
DUT 被測器件
開通時間定義（見下圖）：柵極觸發信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on）+tr
開通特性測試采用雙脈沖測試法。01mA
柵極電壓VGE： 0V
6）柵極-發射極閾值電壓
VGEth： 1-10V±2%±0。由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出被測雙脈沖觸發信號，開通和關斷被測器件兩次，被測器件次開通后，集電極電流IC上升，直至被測器件飽和導通且IC達到測試規定值時，關斷被測器件(設為t1時刻)，之后電感L經二極管（Q1內部二極管）續流，IC迅速減小，直至IC降為零時，第二次開通被測器件(設為t2時刻)，此后電感L中的電流向IC轉移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測器件再次達到飽和導通時(設為t3時刻)，關斷被測器件。記錄下被測器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結果。
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