測試參數：
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。出廠調試結束、出廠前預驗
封裝用IGBT測試儀價格
測試參數：
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。出廠調試結束、出廠前預驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應境內公路、鐵路運輸，并兼顧設備在現場保存時間的要求。
現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。
3、技術指標
* 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組
* 3.2 機臺可測IGBT項目
及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓
VCES集射極截止電壓
ICES集射極截止電流
VCE(sat)飽和導通壓降
Iges柵極漏電流
VF二極管導通電壓
可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊
* 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
測試項目 測量范圍 測試條件與精度
*
3.5 VGE(th)
柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；任何產品都有設計使用壽命，同一種產品不同的使用環境和是否得到相應的維護，延長產品使用壽命和設備良好運行具有極為重要。
解析度：0.01V
集電極電流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；
50～200mA±1%±1mA；
200～1000mA±1%±2mA；
主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件
Vce
集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；
500～1000V±2%±2V；
1000～3300V±1%±5V； 150～3300V
Ic
集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A
Vge
柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；
0～+30V±1%±0.1V -30V～30V
Qg
柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；
Eon、Eoff
開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；
50～200mJ±2%±1mJ；
200～1000mJ±2%±2mJ；
1000～5000mJ±1%±5mJ；
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