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封裝用IGBT測試儀批發貨真價實 華科半導體測試儀

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規格書的要求外,在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度:40—1000uS可設定 5、測試頻率:單次 2。 GB/T 2933
封裝用IGBT測試儀批發

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規格書的要求外,在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度:40—1000uS可設定 5、測試頻率:單次 2。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 電器設備安全技術規范 GB 4208-2008 外殼防護等級(IP 代碼)(IEC 60529:2001,IDT) GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件 GB/T 2423 電工電子產品環境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用 GB/T 9969-2008 工業產品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管



測試大功率元件應用范例說明?

2011年,我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間,進行了實際的展示與操作,廠方提供了許多元件來測試,其中一部份由于損毀嚴重,在一開始的功能與元件判別過程,即被判出局,而未進入實質的參數量測,也有全新的IGBT,量測結果完全合乎出廠規格.對其測試數據極為滿意,解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩定、器件易燒壞、易等問題。因此,測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數,進行跟蹤管理,可有效保障機車中間直流環節可靠運行。用戶能對舊品元件作篩選,留下可用元件,確實掌握設備運轉的可靠度。



3、系統基本參數

3.1 電 壓 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;

3.2 加熱功能:室溫~150℃;

3.3 測試功能:可測試IGBT模塊及FRD;

3.4 環境溫度:25℃±15℃;

3.5 環境濕度:50% ±20% (相對濕度)

4、動態測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc: 50 ~ 1000V;

4.2 集電極電流 Ic: 50 ~ 1000A 感性負載;

4.3 電流持續時間 It: 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間; 4.4 脈 沖 模 式: 單脈沖和雙脈沖;

4.5 單電流脈沖的設置: Vcc,Ic, 電感值(自動計算脈寬);

4.6 雙電流脈沖的設置: Vcc, Ic, 電感值,間隙時間(10到50us)(脈寬自動計算);

(開啟Qrr測試:第二個脈寬=間隙時間,10~50us);

4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH(感性動態測試)。



5、感性負載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH;

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

外部電感成陣列的內部連接。(外部電感的H值傳給PC,以計算電流源的極限,限制脈寬到1000us)。

6、標準的雙控制極驅動

6.1 門極電阻可人工預先設定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

6.2 開啟(Trun-ON)輸出電壓 Vge+ : +15V;

6.3 關斷(Trun-ON)輸出電壓 Vge- : -15V;

6.4 脈寬: 10 ~ 1000us (單脈沖、雙脈沖總時間);

6.5 電壓開關時間: < 50ns;

6.6 輸出內阻: < 0.5Ω;





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