現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脈沖寬度：40—1000uS可設定
5、測試頻率：單次
2。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOS
變頻器用IGBT測試儀批發
現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脈沖寬度：40—1000uS可設定
5、測試頻率：單次
2。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。
9）尖峰抑制電容
用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。
將量測的數據與其出廠規格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。電容容量 200μF
分布電感 小于10nH
脈沖電流 2kA
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
11）動態測試續流二極管
用于防止測試過程中的過電壓。
反向電壓 8000V(2只串聯)
-di/dt大于2000A/μs
通態電流 1200A
壓降小于1V
浪涌電流大于20kA
反向恢復時間小于2μs
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
12）安全工作區測試續流二極管
反向電壓 12kV(3只串聯)
-di/dt 大于2000A/μS
通態電流 1200A
壓降 小于1V
浪涌電流 大于20kA
反向恢復時間 小于2μS
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
7要求
賣方應通過ISO 9001質量論證。
賣方所提供的元件，必須是經過檢驗合格的器件，否則，買方有權拒付貨款�？梢苿有蛢x器，使用方便，測試簡單，立即提供測試結果與數值。
買方有權要求賣方委托第三方進行有關參數的測試，以確保出廠測試的參數真實有效。
在調試期間發現元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。
賣方由于自身原因而延遲交貨時，買方有權按商務規定方法向賣方收取罰款。
賣方對技術規范保證數據的有效性及交貨保質期等應由雙方協商確定并簽署在合同中。
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