欲測(cè)知元件老化，所須提供的測(cè)量范圍為何？
當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測(cè)試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測(cè)試時(shí)，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測(cè)量，以分辨其中的優(yōu)劣。2IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿
大功率IGBT測(cè)試儀批發(fā)
欲測(cè)知元件老化，所須提供的測(cè)量范圍為何？
當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測(cè)試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測(cè)試時(shí)，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測(cè)量，以分辨其中的優(yōu)劣。2IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足IEC60747-9以及IEC60747-2。建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。
IGBT半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：
半導(dǎo)體元器件檢測(cè)中心——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可擴(kuò)大檢測(cè)中心的檢測(cè)范圍、提高檢測(cè)效率，提升檢測(cè)水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；
半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；
電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；
8）高壓大功率開關(guān)
電流能力 200A
隔離耐壓 10kV
響應(yīng)時(shí)間 150ms
脈沖電流 20kA（不小于10ms）
工作方式 氣動(dòng)控制
工作氣壓 0.4MPa
工作溫度 室溫～40℃
工作濕度 <70%
9）尖峰抑制電容
用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。
電容容量 200μF
分布電感 小于10nH
脈沖電流 200A
工作濕度 <70%
（作者： 來源：）
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