檢修用IGBT測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng)承諾守信「多圖」

測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其
檢修用IGBT測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng)

測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè),可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。

開通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開關(guān)S1,并控制輸出被測(cè)雙脈沖觸發(fā)信號(hào)，開通和關(guān)斷被測(cè)器件兩次，被測(cè)器件次開通后，集電極電流IC上升，直至被測(cè)器件飽和導(dǎo)通且IC達(dá)到測(cè)試規(guī)定值時(shí)，關(guān)斷被測(cè)器件(設(shè)為t1時(shí)刻)，之后電感L經(jīng)二極管（Q1內(nèi)部二極管）續(xù)流，IC迅速減小，直至IC降為零時(shí)，第二次開通被測(cè)器件(設(shè)為t2時(shí)刻)，此后電感L中的電流向IC轉(zhuǎn)移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測(cè)器件再次達(dá)到飽和導(dǎo)通時(shí)(設(shè)為t3時(shí)刻)，關(guān)斷被測(cè)器件。記錄下被測(cè)器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導(dǎo)通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過(guò)光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測(cè)試結(jié)果。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測(cè)試電路閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路）滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) 可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V 集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路 6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0。高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) 支撐電容：額定電壓2kV 集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA 集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V

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