什么是大功率半導體元件？其用途為何？ 凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。1～200AVge
變頻器用IGBT測試儀現貨供應
什么是大功率半導體元件？其用途為何？
凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。1～200AVge柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0。
測試大功率元件應用范例說明？
2011年，我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間，進行了實際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進入實質的參數量測，也有全新的IGBT，量測結果完全合乎出廠規格.對其測試數據極為滿意，解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩定、器件易燒壞、易等問題。用戶能對舊品元件作篩選，留下可用元件，確實掌握設備運轉的可靠度。IGBT動態參數測試系統技術要求1、設備概述該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。
技術要求
3.1整體技術指標
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
GBT模塊動態參數測試。
*2）測試對象
被測器件IGBT模塊動態參數。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標
測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。
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