現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換..工作濕度 9）尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。..等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發
檢修用IGBT測試儀加工
現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換..工作濕度 9）尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。..等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。
IGBT半導體器件測試系統的主要應用領域概括如下：
半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經濟效益；
半導體元器件生產廠 —— 應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析，以確保出廠產品的合格率；
電子電力產品生產、檢修廠——應用本公司測試系統可對所應用到的半導體元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；
航天、領域 ——— 應用本公司測試系統可對所應用到的元器件，尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩定性、可靠性；
用于安裝固定試驗回路及單元；主要技術參數要求如下；
風冷系統；
可顯示主要電氣回路參數及傳感器測量值；
可直觀監視試驗過程，并可兼容高溫攝像頭；
防護等級：IP40。
面板按鈕可以進行緊急操作
機柜顏色：RAL7035
17）壓接夾具及其配套系統
工作壓力范圍：5～200kN；分辨率0.1kN
上下極板不平行度小于20μm
極板平整度小于10μm
壓力可連續調節，施加壓力平穩，不可出現加壓時壓力過沖
安全技術要求：滿足GB 19517—2009電氣設備安全技術規范；
測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB 19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）
18）其他輔件
靜態及動態測試系統
技術規范
供貨范圍一覽表
序號 名稱 型號 單位 數量
1 半導體靜態及動態測試系統 HUSTEC-2010 套 1
1范圍
本技術規范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節作出規定，也未充分引述有關標準和規范的條文，供貨方應提供符合工業標準和本技術規范的產品。6）短路保護放電回路
緊急情況下放電，保證緊急情況時使設備處于安全電位。本技術規范所使用的標準如遇與供貨方所執行的標準不一致時，應按較高標準執行。
（作者： 來源：）
