華科智源IGBT測試儀制造標(biāo)準(zhǔn)
華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外,在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。當(dāng)功率元件老化時(shí),元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會加大,因而使溫度升高,并使其效能降低。
GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則
GB19517
便攜式IGBT測試儀價(jià)格
華科智源IGBT測試儀制造標(biāo)準(zhǔn)
華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外,在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。當(dāng)功率元件老化時(shí),元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會加大,因而使溫度升高,并使其效能降低。
GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則
GB19517-2004 電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范
GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(IP 代碼)(IEC 60529:2001,IDT)
GB/T 191-2008 包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件
GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備
GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用
GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則
GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制
GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器
GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

3.6 VCES
集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES:
0.01~1mA±3%±0.001mA;
1~10mA±2%±0.01mA;
10~50mA±1%±0.1mA;
集電極電壓VCES:
0-5000V±1.5%±2V;
*
3.7 ICES
集射極截止電流 0.01~50mA
集電極電壓VCES:
50~500V±2%±1V;
500~5000V±1.5%±2V;
集電極電流ICES:
0.001~1mA±3%±0.001mA;
1~10mA±2%±0.01mA;
10~150mA±1%±0.1mA;
*
3.8 VCE(sat)
飽和導(dǎo)通壓降 0.001~10V
集電極電流ICE:
0-1600A 集電極電壓VCEs:
0.001~10V±0.5%±0.001V
柵極電壓Vge:
5~40V±1%±0.01V
集電極電流ICE:
0~100A±1%±1A;
100~1600A±2%±2A;7測試夾具
1、控制方式:氣動控制
2、控溫范圍:室溫—150℃室溫—125℃±1。
*
3.9 Iges
柵極漏電流 0.01~10μA
柵極漏電流IGEs:
0.01~10μA±2%±0.005μA
柵極電壓Vge:
±1V~40V±1%±0.1V;
Vce=0V;
* 3.10 VF
正向特性測試 0.1~5V 二極管導(dǎo)通電壓Vf:
0.1~5V±1%±0.01V
電流IF:
0~100A±2%±1A;
100~1600A±1.5%±2A;

2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件
測試參數(shù):
1、Irr(反向恢復(fù)電流):50~1000A
50~200A±3%±1A
200~1000A±3%±2A
2、Qrr (反向恢復(fù)電荷):1~1000uC
1~50uC±5%±0.1 uC
50~200uC±5%±1 uC
200~1000uC±5%±2 uC
3、trr(反向恢復(fù)時(shí)間):20~2000ns
20~100±5%±1ns
100~500±5%±2ns
500~2000±3%±5ns
4、Erec(反向關(guān)斷能量損失):0.5~1000mJ
0.5~1mJ±5%±0.01mJ
1~50mJ±5%±0.1mJ
50~200mJ±5%±1mJ
200~1000mJ±5%±2mJ
測試條件:
1、正向電流IFM:50~1000A
50~200A±3%±1A
200~1000A±3%±2A
2、-di/dt測量范圍:200~10000A/us
3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk:200~1000V±3%±2V
4、dv/dt測量范圍:100~10000V/us

7要求
賣方應(yīng)通過ISO 9001質(zhì)量論證。
賣方所提供的元件,必須是經(jīng)過檢驗(yàn)合格的器件,否則,買方有權(quán)拒付貨款。
9A±3%±50mA
10A~50A±3%±1A
3、EA:10mJ~20J
10mJ~1000mJ±3%±1mJ
1J~20J±3%±10mJ
4、脈沖寬度:40—1000uS可設(shè)定
5、測試頻率:單次
2。買方有權(quán)要求賣方委托第三方進(jìn)行有關(guān)參數(shù)的測試,以確保出廠測試的參數(shù)真實(shí)有效。
在調(diào)試期間發(fā)現(xiàn)元件有缺陷或受到損壞,應(yīng)由賣方負(fù)責(zé)免費(fèi)更換并予以賠償。
賣方由于自身原因而延遲交貨時(shí),買方有權(quán)按商務(wù)規(guī)定方法向賣方收取罰款。
賣方對技術(shù)規(guī)范保證數(shù)據(jù)的有效性及交貨保質(zhì)期等應(yīng)由雙方協(xié)商確定并簽署在合同中。

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