兩種鈍化理論都能較好地解釋部分實驗事實，但又都有成功和不足之處。金屬鈍化膜確具有成相膜結構，但同時也存在著單分子層的吸附性膜。尚不清楚在什么條件下形成成相膜，在什么條件下形成吸附膜。兩種理論相互結合還缺乏直接的實驗證據，鈍化工藝，因而鈍化理論還有待深入地研究。
 
實驗表明，測量時不斷刮磨金屬表面，則金屬的電勢劇烈向負方向移動，也就是修整金屬表面可引起處在鈍態金屬的活化。即證明鈍化現象是一種界面現象。它是在一定條件下，金屬與介質相互接觸的界面上發生變化的。電化學鈍化是陽極極化時，金屬的電位發生變化而在電極表面上形成金屬氧化物或鹽類。

在氧化層中大部分的電荷效應是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關的。在800—1250~C的溫度范圍內，表面鈍化，用干氧、濕氧或水汽進行的熱氧化過程有三個持續的階段，鈍化，首先是環境氣氛中的氧進入到已生成的氧化層中，然后氧通過二氧化硅向內部擴散，當它到達Si02-Si界面時就同硅發生反應，形成新的二氧化硅。這樣不斷發生著氧的進入—擴散—反應過程，使靠近界面的硅不斷轉化為二氧化硅，氧化層就以一定的速率向硅片內部生長。
 
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