在儲存技術方面,高密度、大容量硬盤的發展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,金銀濕法處理價格,CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展,滁州金銀濕法處理,用它制造的磁光盤具有存儲容量大,壽命長,可反復無接觸擦寫的特點。如今開發出來的磁光盤,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構,金銀濕法處理設備價格,TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58,而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發現,低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。

濺射靶材ITO靶材的生產工藝ITO靶材的生產工藝可以分為3種:熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下:
熱等靜壓法:ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好,但設備投入高,生產成本高,產品的缺氧率高。

濺射靶材的要求較傳統材料行業高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子系統把電子發射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。

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