科研實(shí)驗(yàn)二氧化硅靶材SiO2靶材磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

純度 99.99%

產(chǎn)品介紹

    硅原子和氧原子長(zhǎng)程有序排列形成晶態(tài)二氧化硅，短程有序或長(zhǎng)程無(wú)序排列形成非晶態(tài)二氧化硅。二氧化硅晶體中，硅原子位于正四面體的中心，四個(gè)氧原子位于正四面體的四個(gè)頂角上，許多個(gè)這樣的四面體又通過(guò)頂角的氧原子相連，每個(gè)氧原子為兩個(gè)四面體共有，即每個(gè)氧原子與兩個(gè)硅原子相結(jié)合。二氧化硅的簡(jiǎn)式是SiO2，但SiO2不代表一個(gè)簡(jiǎn)單分子僅表示二氧化硅晶體中硅和氧的原子個(gè)數(shù)之比。純凈的天然二氧化硅晶體，是一種堅(jiān)硬、脆性、難溶的無(wú)色透明的固體，常用于制造光學(xué)儀器等氮化硼（BN）是由氮原子和硼原子所構(gòu)成的晶體，通常為黑色、棕色或暗紅色，為閃鋅礦結(jié)構(gòu)，具有良好的導(dǎo)熱性，硬度僅次于金剛石，是一種超硬材料，常用作刀具材料和磨料。氮化硼具有抗化學(xué)侵蝕性質(zhì)，不被無(wú)機(jī)酸和水侵蝕，微溶于熱酸。在熱濃堿中硼氮鍵被斷開(kāi)，1200℃以上開(kāi)始在空氣中氧化，熔點(diǎn)為3000℃，稍3000℃時(shí)開(kāi)始升華，真空時(shí)約2700℃開(kāi)始分解。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 二氧化硅    化學(xué)式 SiO&8322

分子量 60.084  密度（室溫） 2.2 g/cm3

熔    點(diǎn) 1650（±50）℃  沸    點(diǎn) 2230℃

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產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

交貨周期：現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)，常規(guī)期貨2周

適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。 

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)