西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室簡稱長禾實驗室位于西安市高新技術經濟開發區，是一家從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是CNAS 認可實驗室，屬于大功率器件測試服務中心。
長禾實驗室擁有的系統設備、的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有的測試儀器設備100余臺套，測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷服務項目和檢測技術，借助便利的服務網絡，為合作伙伴提供高效的技術服務。
長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發電、科研單位、院所、工業控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。
長禾實驗室秉承務實的經營理念，為客戶提供的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業企業、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。
誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴，共謀發展大計！
檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
功率循環試驗（PC） IGBT模塊 ΔTj100℃ 電壓電流1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件 溫度150℃； 電壓2000V 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度150℃； 電壓2000V 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度150℃ 電壓2000V 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 溫度-80℃ 電壓2000V 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫儲存試驗（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度150℃； 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫儲存試驗（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度-80℃ 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫高濕試驗（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度180℃ 濕度范圍：10%~98% 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高低溫循環試驗（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度范圍：-80℃~220℃ 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
間歇壽命試驗（IOL）功率循環試驗（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流48V，10A 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
穩態功率試驗（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流48V，10A 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高加速應力試驗（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度130℃/110℃ 濕度85% 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
*無偏壓的高加速應力試驗（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度130℃ 濕度85% 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫蒸煮試驗（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度121℃ 濕度 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
預處理試驗（Pre-con） 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
潮氣敏感度等級試驗（MSL） 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
*可焊性試驗（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 有鉛、無鉛均可進行 美軍標，，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
